专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]单铁芯以及传感器-CN201010556470.8有效
  • 刘诗斌;严家明 - 西北工业大学
  • 2010-11-22 - 2011-07-20 - G01R33/02
  • 本发明公开了一种单铁芯以及传感器,用于解决现有的传感器加工困难的技术问题。技术方案是的铁芯是长条形,加工绕线更加方便,更能保证测量与安装的一致,降低了制造成本。采用长条形铁芯传感器,采用与传感器基座分离结构,降低了铁芯、线圈的加工、绕线和装配的复杂程度,保证了个单相互垂直,个单固定方便,提高了传感器的可靠性和可维修性
  • 单铁芯磁通门以及磁通门三轴传感器
  • [实用新型]单铁芯以及传感器-CN201020621359.8无效
  • 刘诗斌;严家明 - 西北工业大学
  • 2010-11-22 - 2011-08-17 - G01R33/02
  • 本实用新型公开了一种单铁芯以及传感器,用于解决现有的传感器加工困难的技术问题。技术方案是的铁芯是长条形,加工绕线更加方便,更能保证测量与安装的一致,降低了制造成本。采用长条形铁芯传感器,采用与传感器基座分离结构,降低了铁芯、线圈的加工、绕线和装配的复杂程度,保证了个单相互垂直,个单固定方便,提高了传感器的可靠性和可维修性
  • 单铁芯磁通门以及磁通门三轴传感器
  • [发明专利]一种传感器-CN202310349719.5在审
  • 周柯;奉斌;金庆忍;莫枝阅;王晓明;卢柏桦 - 广西电网有限责任公司电力科学研究院
  • 2023-04-04 - 2023-06-23 - G01R33/05
  • 本发明属于设备技术领域,尤其涉及传感器包括硅立方基座和个微机电系统单传感器芯片;微机电系统单传感器芯片分别位于所示硅立方基座的共顶点正交平面上,并通过硅‑玻璃键合技术键合到硅立方基座表面,微机电系统单传感器芯片的敏感方向分别是沿正交的个方向探测磁场的x、y、z个分量值。通过硅‑玻璃键合技术在硅立方体上键合固定微机电系统单传感器芯片,与传统传感器使用维骨架作为支撑粘贴芯然后缠绕铜线相比,不仅大大缩短了传感器的尺寸和制造周期,而且减小了传感器的间正交误差,可实现传感器的批量生产降低应用成本。
  • 一种三轴磁通门传感器
  • [发明专利]薄膜3及其实施方法-CN200680054338.9无效
  • 张汉声 - 微门有限公司
  • 2006-04-28 - 2009-05-06 - H01L43/00
  • 本发明提供了一种薄膜,用来检测方向上的磁场的分量,该薄膜包括:在平面上设置的两个条形的第一薄膜,用来检测在双方向上的磁场的水平分量;以及多个第二薄膜,其用来检测磁场的垂直分量,其中,第一薄膜以及多个第二薄膜中的每一个都包括用来施加能量的驱动线圈、用来检测电压的捡拾线圈、和磁性薄膜,其中,多个第二薄膜基本上垂直于第一薄膜中的每一个,其中,多个第二薄膜中的每一个的磁性薄膜的长度比两个第一薄膜中的每一个的磁性薄膜的长度短,并且其中,多个第二薄膜中的每一个的两个端部比自身的中心部分宽。
  • 薄膜轴磁通门及其实施方法
  • [发明专利]一种传感器-CN201611005081.X在审
  • 雷冲;周勇 - 上海交通大学
  • 2016-11-15 - 2017-02-15 - G01R33/04
  • 本发明公开了一种传感器,包括一个x‑y双平面传感器、一个z轴向单平面传感器;其中x‑y双芯片包含在同一硅衬底上的两个正交分布的单立的单平面传感器单元,且z轴向单平面传感器仅衬底材料采用大厚度玻璃衬底利用硅‑玻璃键合技术将z轴向单芯片短端的侧面键合固定在x‑y双芯片硅衬底表面上,使z轴向单芯片的敏感垂直正交于x‑y双芯片的x、y轴向敏感,从而实现磁场的x、y、z正交性分量探测。本发明解决了现有传感器体积大、重量高、功耗大的问题,充分利用了微机电系统单传感器芯片体积小、功耗低、一致性高的优点,以及键合对准正交误差小的优势。
  • 一种三轴磁通门传感器
  • [发明专利]基于高温超导线圈的混合屏蔽装置-CN201610827434.8在审
  • 王三胜;李园园;杨吉成;王三成;杨荣岩 - 北京航空航天大学
  • 2016-09-14 - 2017-01-18 - H05K9/00
  • 本发明涉及一种基于高温超导线圈的混合屏蔽装置。其目的是为了提供一种屏蔽能力强、无幅值依赖性、移动便捷的屏蔽装置。本发明包括上位机、计、个高精度电流源、超导环和亥姆霍兹线圈。上位机的控制信号输出端分别与x高精度电流源、y高精度电流源和z高精度电流源的控制端连接,x高精度电流源、y高精度电流源和z高精度电流源的电流输出端分别与亥姆霍兹线圈上个不同维度的线圈连接,亥姆霍兹线圈的中心位置设置有超导环,超导环的中心位置设置有探头,探头的信号输出端与计的信号接收端连接,计的信号输出端与上位机的反馈信号接收端连接。
  • 基于高温超导线圈混合屏蔽装置
  • [发明专利]微机电系统MEMS磁强计测试系统及其控制方法-CN201510528324.7有效
  • 杨建中;刘幂;尤政;李滨;阮勇 - 清华大学
  • 2015-08-25 - 2018-01-16 - G01R35/00
  • 本发明提出一种微机电系统MEMS磁强计测试系统及其控制方法,包括激励信号源;基座;微动平台,与基座固定相连,用于对微机电系统MEMS磁强计的位置进行调整;芯片固定装置,用于固定微机电系统MEMS磁强计,其设置在微动平台的顶部,以跟随微动平台移动;探针卡,分别与基座、激励信号源和微机电系统MEMS磁强计连接,用于在与微机电系统MEMS磁强计导时,导出微机电系统MEMS磁强计的输出信号;数据采集装置,与探针卡相连,用于采集输出信号;处理装置,与数据采集装置相连,用于接收微机电系统MEMS磁强计的输出信号,并对输出信号进行锁相放大,以得到测试结果。
  • 微机系统mems磁通门磁强计测试及其控制方法
  • [发明专利]球形反馈分量梯度全张量探头-CN201210479453.8有效
  • 随阳轶;李光;林君;王世隆 - 吉林大学
  • 2012-11-22 - 2013-02-13 - G01V3/10
  • 本发明涉及一种球形反馈分量梯度全张量探头。是在球形不导电材料外表刻有个方向相互垂直交叉的漆包线缠绕槽;球内装有个以上分量传感器,分量传感器通过控制电路连接球形反馈线圈形成闭环构成分量梯度全张量探头。与现有技术相比球形线圈产生的均匀场比其它种类反馈线圈产生的大,在相同均匀度下,球形反馈线圈所占体积最小,把多个传感器放在一个球形线圈中,保证了在零附近的环境中工作状态稳定,避免了每个分别反馈时反馈线圈的互扰
  • 球形反馈分量磁通门磁梯度张量探头
  • [发明专利]基于高温数字分量井中磁力仪-CN202110676232.9在审
  • 高嵩;王刚;苗雨豪;刘家明;李源;刘思念;袁春梅 - 成都理工大学
  • 2021-06-18 - 2021-10-22 - G01V3/28
  • 本发明公开了一种基于高温数字分量井中磁力仪,包括:密闭承压舱壳体;传感器,用于测量所述基于高温数字分量井中磁力仪外部的磁性物质的磁场强度;分量石英加速度计,用于采集加速度数据;信号处理电路,用于对所述传感器感测的信号进行数字化处理,并将经过数字化处理的信号进行温度校正处理,以及对经过温度校正处理的数据和所述分量石英加速度计所采集的加速度数据进行误差校正处理;电源电路;缓冲器;支撑骨架;所述传感器、所述信号处理电路、所述分量石英加速度计和所述电源电路均设置于所述密闭承压舱壳体内。
  • 基于高温数字磁通门分量磁力

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